Die Navitas Semiconductor Corporation (Navitas) entwirft, entwickelt und vermarktet Leistungshalbleiter der nächsten Generation, einschließlich Galliumnitrid (GaN) Leistungs-ICs, Siliziumkarbid (SiC) Leistungsvorrichtungen, zugehörige Hochgeschwindigkeits-Silizium-Systemcontroller und digitale Isolatoren, die in der Leistungsumwandlung und Ladetechnik eingesetzt werden. Stromversorgungen, die die Produkte des Unternehmens enthalten, können in einer Vielzahl von Elektronikprodukten verwendet werd...
Die Navitas Semiconductor Corporation (Navitas) entwirft, entwickelt und vermarktet Leistungshalbleiter der nächsten Generation, einschließlich Galliumnitrid (GaN) Leistungs-ICs, Siliziumkarbid (SiC) Leistungsvorrichtungen, zugehörige Hochgeschwindigkeits-Silizium-Systemcontroller und digitale Isolatoren, die in der Leistungsumwandlung und Ladetechnik eingesetzt werden. Stromversorgungen, die die Produkte des Unternehmens enthalten, können in einer Vielzahl von Elektronikprodukten verwendet werden, darunter Schnellladegeräte für Mobiltelefone und Laptops, Unterhaltungselektronik, Rechenzentren, Solarwechselrichter und Elektrofahrzeuge, sowie in zahlreichen anderen Anwendungen.
Die Produkte des Unternehmens bieten eine überlegene Effizienz, Leistung, Größe, Kosten und Nachhaltigkeit im Vergleich zur bestehenden Siliziumtechnologie. Die Lösungen des Unternehmens bieten schnellere Ladefunktionen, höhere Leistungsdichte und größere Energieeinsparungen im Vergleich zu auf Silizium basierenden Leistungssystemen mit derselben Ausgangsleistung. Durch die Erschließung dieser Geschwindigkeit und Effizienz führt Navitas eine Revolution in der Hochfrequenz-, Hochleistungs-, Hochdichte- und nachhaltigen Leistungselektronik an.
Im August 2022 übernahm Navitas GeneSiC Semiconductor und fügte dem Navitas-Portfolio eine breite Palette von SiC-MOSFETs und Dioden hinzu. Die proprietäre Trench-assistierte planare MOSFET-Technologie von GeneSiC kombiniert das Beste aus planarem SiC (einfache Herstellung, Robustheit) mit dem Besten aus Trench-SiC (geringer Widerstand, kleinere Chipgrößen). Navitas SiC-MOSFETs haben einen geringeren Widerstand als Konkurrenzprodukte bei höheren Temperaturen und arbeiten bei kühleren Temperaturen, was eine voraussichtliche Lebenserwartung der Geräte um das Dreifache verlängert.
Navitas verfügt über ein breites Portfolio von über 250 erteilten oder anhängigen Patenten, die wichtige Aspekte der GaN-Leistungsschaltung, analoge und digitale Integration sowie SiC-Geräteentwicklung umfassen. Die Patente des Unternehmens sind im Allgemeinen auf Anwendungsfälle in allen Zielmarktsegmenten des Unternehmens anwendbar. Ein Schlüsselelement des geistigen Eigentums des Unternehmens ist sein GaN-IC-Prozessdesign-Kit (PDK), das das Unternehmen zur Erleichterung und Beschleunigung der Produktimplementierung und der Entwicklung von Endkunden verwendet. Das PDK des Unternehmens umfasst die branchenweit ersten und ausgereiftesten und umfassendsten Geräte- und Schaltungs-Entwicklungs-Bibliotheken, Charakterisierungs- und Verifizierungstools sowie robuste Simulationsmodelle. Das Unternehmen verkauft seine Leistungschips an Endkunden, die sich für die Lösungen des Unternehmens zur Integration in ihre Produktangebote entscheiden.
Strategie
Das Unternehmen ist bestrebt, seinen Endkunden durch Leistungshalbleiterlösungen der nächsten Generation eine beispiellose Geschwindigkeit und Effizienz zu bieten, um eine effiziente Elektrifizierung zu ermöglichen und den CO2-Fußabdruck der Produkte der Kunden des Unternehmens zu reduzieren. Navitas-Produkte decken eine Vielzahl von Leistungsanwendungen von 20 W bis 20 MW ab, über verschiedene Märkte hinweg, einschließlich Mobilgeräte/Verbraucher, Rechenzentren, Haushaltsgeräte/Industrie, Solar-/Speicherlösungen und Elektrofahrzeuge. Mit einer etablierten Erfolgsbilanz im Bereich des schnellen mobilen Ladens, über 125 Millionen verkaufte GaN-Einheiten, ist Navitas gut positioniert, um GaN in Anwendungen mit höherer Leistung auszuweiten und die Akzeptanz des umfangreichen SiC-Portfolios des Unternehmens zu beschleunigen.
Die wichtigsten strategischen Initiativen des Unternehmens umfassen die Beschleunigung der Technologieentwicklung und Innovation, die Expansion in neue Endmärkte und Regionen, selektive Übernahmen von ergänzenden Technologien und Führungspositionen im Bereich der Nachhaltigkeit.
Vertrieb, Marketing und Unterstützung für Endkunden
Im Bereich GaN kombiniert die Vermarktungsstrategie des Unternehmens robuste GaN-Kommerzialisierungs- und Designexpertise mit validiertem Erfolg in mobilen und Verbraucherladeanwendungen, um Marktanteile zu gewinnen und in neue vertikale Märkte vorzudringen. Das Unternehmen arbeitet mit zahlreichen Plattformen und Endkunden weltweit zusammen und zielt auf innovative Zulieferer der ersten Ebene ab, um differenzierte Leistungshalbleiterlösungen zu entwerfen. Um den Erfolg der Endkunden zu fördern, bietet das Unternehmen umfassende Designunterstützung an und nutzt ein proprietäres Prozessdesign-Kit, das auf spezifische Ingenieursanforderungen zugeschnitten ist. Navitas ist einzigartig darin, drei separate, systemdedizierte Anwendungsentwicklungszentren zu eröffnen, um die Akzeptanz von GaN und SiC in Schnellladegeräten, Rechenzentren und Elektrofahrzeugen zu beschleunigen. Darüber hinaus können die Technologien des Unternehmens in zahlreiche Produktgenerationen und Designarchitekturen integriert werden, was eine skalierbare Geschäftsmöglichkeit schafft. Dieser technische Geschäfts-zu-Geschäfts-Ansatz wird durch kommerzielle Geschäfts-zu-Verbraucher-Endbenutzer-Aktivitäten und Kundenkooperationsaktivitäten über persönliche und virtuelle Multimedia-Plattformen ergänzt.
Wichtige Vertriebspartner stellen zusätzliche Feldanwendungsingenieurressourcen bereit, um bei der Einführung der Technologie des Unternehmens in eine vielfältige Endkundenbasis zu unterstützen und die Produkte des Unternehmens in die Produkte und Systeme der Endkunden zu integrieren. Darüber hinaus arbeitet das Direktverkaufsteam von Navitas daran, die Entwicklung neuer Endkundenpartnerschaften mit den Vertriebspartnern des Unternehmens zu erleichtern. Mit einem Fokus auf führende globale Kunden ist Navitas gut positioniert, um sowohl seine bestehende Endkundenbasis zu erweitern als auch in naher Zukunft in neue Märkte einzutreten, während es seine derzeitige Marktführungsposition im Bereich des schnellen mobilen Ladens beibehält.
Geistiges Eigentum
Die Kernstärke des Unternehmens liegt in seiner branchenführenden IP-Position in GaN-Leistungs-ICs und SiC-MOSFETs. Das Unternehmen hat die ersten kommerziellen GaN-Leistungs-ICs erfunden und auf dem Weg viele grundlegende Schaltungselemente patentiert, die in den meisten Leistungssystemen von 20 W bis 20 kW benötigt werden. Das Unternehmen verfügt über mehr als 250 erteilte oder anhängige Patente, die voraussichtlich zwischen Ende 2034 und Anfang 2041 ablaufen werden.
Ein Schlüsselelement des geistigen Eigentums des Unternehmens ist sein GaN-IC-Prozessdesign-Kit (PDK), das das Unternehmen zur Erleichterung und Beschleunigung der Produktimplementierung und der Entwicklung von Endkunden verwendet. Das PDK des Unternehmens umfasst die branchenweit ersten und ausgereiftesten und umfassendsten Geräte- und Schaltungs-Entwicklungs-Bibliotheken, Charakterisierungs- und Verifizierungstools sowie robuste Simulationsmodelle.
Wettbewerb
Die Hauptkonkurrenten von Navitas im Bereich GaN sind Infineon Technologies AG, Power Integrations, Inc., Texas Instruments Incorporated, Innoscience (Suzhou) Semiconductor Co., Ltd., Transphorm, Inc. und Efficient Power Conversion Corporation (EPC).
Die Hauptkonkurrenten des Unternehmens im Bereich der auf Silizium basierenden Leistungshalbleiter sind Infineon, STMicroelectronics, ON Semiconductor und Power Integrations, unter anderem.
Forschung und Entwicklung
Die Forschungs- und Entwicklungsausgaben des Unternehmens betrugen 68,8 Millionen US-Dollar für die zwölf Monate bis zum 31. Dezember 2023.
Geschichte
Die Navitas Semiconductor Limited wurde im Jahr 2013 gegründet.
